15kV和35kV電纜的介質(zhì)損耗標(biāo)準(zhǔn)主要體現(xiàn)在介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）的允許范圍上，該參數(shù)是衡量電介質(zhì)損耗的核心指標(biāo)，其值越小表明絕緣性能越佳。以下從通用標(biāo)準(zhǔn)、電壓等級(jí)差異、工程應(yīng)用要求三方面展開分析：
一、通用標(biāo)準(zhǔn)要求
介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）
根據(jù)電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，電纜絕緣的介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）需滿足以下條件：典型值范圍：0.005～0.02之間，優(yōu)質(zhì)材料可能低于0.005。
測試條件：在工頻（50～60Hz）下測量，此時(shí)電纜絕緣呈現(xiàn)高絕緣電阻和較大容抗，感抗可忽略。
物理意義：tgδ近似等于絕緣的功率因數(shù)，反映電介質(zhì)在電場作用下的能量損耗。
測試方法
標(biāo)準(zhǔn)回路：內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器（tgδ<0.005%，Cn=99.78PF）。
被試回路：由被測電纜和測量線路組成，通過取樣電阻、前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器采集數(shù)據(jù)。
儀器要求：使用高精度介質(zhì)損耗測試儀，通過測量電壓與電流的相位差計(jì)算tgδ。
標(biāo)準(zhǔn)回路與被試回路：
計(jì)算原理：數(shù)字信號(hào)處理器對(duì)標(biāo)準(zhǔn)回路與被試回路的電流幅值及相位差進(jìn)行矢量運(yùn)算，得出電容值和tgδ。
二、15kV與35kV電纜的差異
電壓等級(jí)影響
35kV電纜：介質(zhì)損耗更顯著，其損耗占載流纜芯損耗的比例約為1.5%，而15kV電纜的損耗比例可忽略不計(jì)。
原因：電壓升高導(dǎo)致電場強(qiáng)度增加，絕緣材料中的極化損耗和漏導(dǎo)損耗隨之增大。
絕緣材料與結(jié)構(gòu)
35kV電纜：通常采用交聯(lián)聚乙烯（XLPE）等高性能絕緣材料，其tgδ值需嚴(yán)格控制（如<0.0005），以減少運(yùn)行中的能量損耗。
15kV電纜：對(duì)絕緣材料的要求相對(duì)較低，但仍需滿足tgδ的通用標(biāo)準(zhǔn)。
三、工程應(yīng)用中的標(biāo)準(zhǔn)要求
設(shè)計(jì)階段
載流量計(jì)算：需考慮介質(zhì)損耗對(duì)電纜散熱的影響。35kV電纜因介質(zhì)損耗較大，需通過特殊絕緣設(shè)計(jì)（如低tgδ材料）或冷卻措施（如人工油冷卻）提高傳輸容量。
熱阻計(jì)算：介質(zhì)損耗產(chǎn)生的熱量會(huì)導(dǎo)致絕緣溫度升高，需通過熱阻模型評(píng)估電纜的長期運(yùn)行可靠性。
運(yùn)行與維護(hù)
定期檢測：通過介質(zhì)損耗測試儀監(jiān)測tgδ值的變化，判斷絕緣老化程度。例如，35kV電纜的tgδ值若顯著升高，可能預(yù)示水樹枝老化或受潮。
超低頻測試：采用0.1Hz超低頻電壓測試電纜的介質(zhì)損耗，可有效診斷交聯(lián)電纜的整體絕緣狀態(tài)。
國際標(biāo)準(zhǔn)參考
IEEE 400-2013：規(guī)定了有屏蔽層電力電纜系統(tǒng)絕緣層的現(xiàn)場試驗(yàn)與評(píng)估導(dǎo)則，包括介質(zhì)損耗的測試方法和判斷標(biāo)準(zhǔn)。
GB 50217-2018：中國電力工程電纜設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)電纜的介質(zhì)損耗提出了具體要求。
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