雙屏蔽PUR電纜的轉(zhuǎn)移阻抗指標(biāo)需滿足以下要求：
核心指標(biāo)：在10MHz頻率下，轉(zhuǎn)移阻抗應(yīng)不大于100mΩ/m。這一數(shù)值是衡量屏蔽層對電磁干擾抑制能力的關(guān)鍵參數(shù)，轉(zhuǎn)移阻抗越低，屏蔽效能越好，即電纜抵抗外部電磁干擾的能力越強(qiáng)。
屏蔽層結(jié)構(gòu)對轉(zhuǎn)移阻抗的影響：
雙屏蔽結(jié)構(gòu)：通常采用兩層屏蔽層（如鋁箔+銅絲編織）且兩層之間有絕緣隔離，這種結(jié)構(gòu)可顯著降低轉(zhuǎn)移阻抗。例如，內(nèi)層鋁箔提供高頻屏蔽，外層銅絲編織增強(qiáng)低頻屏蔽，兩者結(jié)合使轉(zhuǎn)移阻抗在寬頻段內(nèi)保持較低水平。
單層屏蔽對比：單層屏蔽電纜的轉(zhuǎn)移阻抗通常較高，尤其在高頻段，可能無法滿足嚴(yán)苛的電磁兼容要求。
頻率依賴性：轉(zhuǎn)移阻抗隨頻率升高而變化。在低頻段（如10MHz以下），雙屏蔽PUR電纜的轉(zhuǎn)移阻抗可穩(wěn)定在較低水平（如≤100mΩ/m）；在高頻段（如100MHz以上），需通過優(yōu)化屏蔽層材料和結(jié)構(gòu)（如增加屏蔽層覆蓋率、采用多層屏蔽）來抑制轉(zhuǎn)移阻抗的上升。
實(shí)際應(yīng)用中的性能表現(xiàn)：
抗干擾能力：雙屏蔽PUR電纜的轉(zhuǎn)移阻抗指標(biāo)確保其在工業(yè)自動化、醫(yī)療儀器等高電磁干擾環(huán)境中，能有效減少信號傳輸中的噪聲和失真。
信號完整性：低轉(zhuǎn)移阻抗可降低信號衰減，提高傳輸距離和速率，滿足高頻信號（如RS485、CAN總線）的傳輸需求。
測試與驗(yàn)證：轉(zhuǎn)移阻抗需通過實(shí)驗(yàn)室高頻密封箱測量屏蔽插入損耗后計算得出，或直接使用網(wǎng)絡(luò)分析儀測試。測試時需控制電纜長度（如1米）、激勵電流（如1A）和頻率范圍（如0-1GHz），以獲取準(zhǔn)確的轉(zhuǎn)移阻抗曲線。
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